本文標(biāo)題："預(yù)測額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測量"

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預(yù)測額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測量

    來自大氣的鈉污染 從下面的實(shí)驗(yàn)說明，在大氣條件下貯存
的樣品，很快被鈉和鈉化合物所污染。在通常的試驗(yàn)室，氧化硅晶
片貯存2天后，鈉的污染程度為1016原子/厘米氣，然而，在過濾層
流潔凈化臺中，氧化晶片貯存2天以后，鈉的污染程度為6x門
原子/厘米，貯存20天以后，鈉的污染程度可達(dá)8x1012到5x10
原子/厘米。貯存120天以后，鈉的污染程度達(dá)到2x1014到1.5
x 101“原子/厘米。也可以檢驗(yàn)鉀對硅片的污染情況。所以硅片
在用于器件之前，如不進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑?，這種污染便能發(fā)生反型層
問題。
    周圍環(huán)境中所含的鈉不好測定。然而可以推測，如不把硅片
安置在水平層流型的氣流中，周圍環(huán)境中相當(dāng)大的粒子就會沉積
在硅片上，這些塵較中通常含有鈉，或者在其表面附著鈉。
    產(chǎn)品與工廠環(huán)境的關(guān)系
    人們很早就發(fā)現(xiàn)粒子會使半導(dǎo)體器件失效。在幾年前，當(dāng)?shù)?br />一次應(yīng)用平面制造工藝時(shí)，才弄清了硅晶休管失效率和環(huán)境條件
的實(shí)際關(guān)系。初，在昔通的工廠環(huán)境中，在小規(guī)模試驗(yàn)性生產(chǎn)的
墓礎(chǔ)上，開始制造npn平面型晶體管，在這種環(huán)境條件下，大于
0.5微米的灰塵的數(shù)量級通常是10粒子/立方英尺。后來，把生
產(chǎn)線設(shè)置在相對潔凈的空氣中(=2000-10000粒子/立方英尺)，
并嚴(yán)格固定工作位置。圖2-10表示在這兩種環(huán)境下，對產(chǎn)品進(jìn)行
加速壽命試驗(yàn)的結(jié)果。加速壽命試驗(yàn)是在器件輸入兩倍額定功
率，使芯片溫度超過額定值的情況下進(jìn)行的。因?yàn)楹褪视嘘P(guān)
的一個重要因素是試驗(yàn)測出的結(jié)溫，所以，可以采用在加速壽命試
驗(yàn)條件下測量的失效率來預(yù)測額定功率條件下的失效率。

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