本文標(biāo)題："硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜的雜質(zhì)濃度"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動(dòng)態(tài) ------ 人瀏覽過(guò) -----時(shí)間：2015-9-30 9:55:2

硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜的雜質(zhì)濃度

    為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)，它是一種面效應(yīng)器件。此類晶
體管有兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)域:源極和漏極，它們由被稱為溝道的區(qū)域聽(tīng)隔離。
溝道的導(dǎo)電率可以通過(guò)加在柵極上的電壓來(lái)控制，柵級(jí)是一個(gè)中間
有薄層絕緣體和溝道隔離開(kāi)來(lái)的電極。正常的和已損壞的場(chǎng)效應(yīng)晶
體管的典型的電氣特性。已損壞的器件，當(dāng)柵壓為零時(shí)的曲線比正
常器件的曲線高，柵極控制漏極電流的能力明顯減小，這種器件也
可能發(fā)生結(jié)漏的損壞。
    電阻率    表示了硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜
的雜質(zhì)濃度，由此可見(jiàn)，很小的雜質(zhì)濃度卻起著很重要的作用。圖
2-2中兩條曲線分別表示n型硅和p型硅電阻率對(duì)雜質(zhì)濃度的關(guān)
系。硅品體針管基片的標(biāo)準(zhǔn)電阻率是從0.5歐姆·厘米~10歐姆·
厘米，它相當(dāng)于雜質(zhì)濃度從10 ppb e到1ppm.,這是集電極要
求的雜質(zhì)濃度。在晶體骨的基極，雜質(zhì)濃度約為100 ppm。在發(fā)
射極雜質(zhì)濃度可達(dá)到10` ppm，或者說(shuō)近似為1 %。因此，在器件
的一定區(qū)域雜質(zhì)濃度僅有百萬(wàn)分之幾的變化，就能使那個(gè)區(qū)域的
電阻率產(chǎn)生很大的變化。通常是能使器件特性，如結(jié)擊穿電壓值
和增益，產(chǎn)生顯著的變化。
 

后一篇文章：雜質(zhì)的遷移對(duì)于器件特性有什么影響工具顯微鏡 »
前一篇文章：« 敘述了半導(dǎo)體和薄膜器件的基本制造過(guò)程

tags:光學(xué),光學(xué)顯微鏡,數(shù)碼顯微鏡,技術(shù),成像儀器,生物顯微鏡,精密儀器,

硅的電阻率是如何取決于在硅中摻雜的雜質(zhì)濃度,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

本頁(yè)地址：http://www.lijiangshunyang.com/wz/2157.html轉(zhuǎn)載注明
本站地址：http://www.lijiangshunyang.com/
http://www.xianweijing.org/