本文標題："在粒子氧化物被腐蝕造成過多的漏電流的原因"
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在粒子氧化物被腐蝕造成過多的漏電流的原因
因為一些器件的管殼是銅，所以銅的淀積可以作為金屬淀積
使晶體管損壞的一個實際例子。當器件輸出功率使片溫升高時，
銅首先淀積在器件的高摻雜區，周圍環境中的氛又加強了銅的淀
積過程。淀積的體積約為1立方微米，重量約9x10-”克或約為
7 x 101銅原子。
粒子的影響 一 在微電子器件的制造中，微粒可以造成和粒子
大小相當的針孔和其它缺陷。圖2-6a為兩顆小到直徑為0.3微
米的粒子，在圖形形成前恰好嵌入硅平面器件光刻膠的薄層中;圖
2-3b為在正常的光刻圖形形成后，粒子卻使氧化層暴露出來;圖
2-6o為由于正常光刻圖形上的氧化層要被腐蝕，因此在腐蝕時，
在粒子所開窗口的氧化物也被腐蝕，而使硅的pn結暴露出來，這
就是造成過多的漏電流的主要原因。
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