本文標題："雜質的遷移對于器件特性有什么影響工具顯微鏡"

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雜質的遷移對于器件特性有什么影響工具顯微鏡

    雜質遷移 對MOS二極管的研究表明，污染能在sio3中移
動，在氧華層兩邊10伏的電位差之下，每10分鐘可遷移1000埃
的氧化層厚度。當器件的溫度升高，雜質遷移的時間就縮短。雖
然其它的堿類雜質也可按同樣方式移動，但通常可移動的雜質是
鈉。如果雜質遷移較長的距離，則所需的時間也較長。
    這些雜質的遷移常常使器件特性明顯變壞，如它使結漏增加，
增益減少，并且在這種情況下，污染還會使器件壽命縮短。例如在
氧化層外表面存在濃度為10'，原子/厘米的雜質，它不會使MOS
器件初測失效，但是，一旦這些雜質中相當一部分原子遷移到硅
—二氧化硅的內表面，就可能造成器件失效。
    結效應 硅面結型器件損壞的一種形式是在結區(qū)形成金屬淀
積而使pn結損壞。它使漏電流成為非飽和型特性(軟特性)，及與
之相反溝道的飽和型特性:這兩種特性和好的器件特性見圖2-5
所示。過多的漏電流能破壞電路的電平衡和造成工作失效，當晶
體管發(fā)射極呈現(xiàn)軟特性時，增益也隨之降低，特別在低集電極電流
時，增益的降低更為嚴重。硅器件增益的降低在放大器中會造成
信號損失，或在開關電路中造成開關晶體管的失效。

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